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元件参数资料
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参数目录40019
> EFC4618R-TR MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EFCP1818
型号:
EFC4618R-TR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EFCP1818
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
EFC4618R-TR PDF
标准包装
5,000
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
-
Id 时的 Vgs(th)(最大)
-
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-XBGA,4-FCBGA
供应商设备封装
EFCP1818-4CC-037
包装
带卷 (TR)
查看EFC4618R-TR代理商
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